ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಕಂಪ್ಯೂಟ್‌ಗಾಗಿ ಇಪಿಸಿ ಎಪವರ್ ಹಂತ ಐಸಿ ಕುಟುಂಬವನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಲಾಗಿದೆ

EPC2152 ಏಕ-ಚಿಪ್ ಡ್ರೈವರ್ ಜೊತೆಗೆ ಸ್ವಾಮ್ಯದ GaN ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು eGaN ಫೆಟ್ ಅರ್ಧ ಸೇತುವೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಹಂತವಾಗಿದೆ.

ಇನ್‌ಪುಟ್ ಲಾಜಿಕ್ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್, ಲೆವೆಲ್ ಶಿಫ್ಟಿಂಗ್, ಬೂಟ್‌ಸ್ಟ್ರಾಪ್ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಬಫರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಜೊತೆಗೆ ಇಗಾನ್ output ಟ್‌ಪುಟ್ ಎಫ್‌ಇಟಿಗಳನ್ನು ಅರ್ಧ ಸೇತುವೆಯಾಗಿ ಕಾನ್ಫಿಗರ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಏಕಶಿಲೆಯ ಚಿಪ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಂಯೋಜಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಕೇವಲ 3.9 × 2.6 × 0.63 ಮಿಮೀ ಅಳತೆ ಮಾಡುವ ಚಿಪ್-ಪ್ರಮಾಣದ ಎಲ್ಜಿಎ ಫಾರ್ಮ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ಸಾಧನಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

1 ಮೆಗಾಹರ್ಟ್ z ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನದಲ್ಲಿ 48 ವಿ ನಿಂದ 12 ವಿ ಬಕ್ ಪರಿವರ್ತಕದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಿದಾಗ, ಇಪಿಸಿ 2152 ಎಪವರ್ ಹಂತವು ಗರಿಷ್ಠ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು 96% ಸಾಧಿಸುತ್ತದೆ.

ಚಿಪ್ ಸ್ಕೇಲ್ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಮತ್ತು ಮಲ್ಟಿ-ಚಿಪ್ ಕ್ವಾಡ್ ಫ್ಲಾಟ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸಮಗ್ರ ವಿದ್ಯುತ್ ಹಂತಗಳ ಯೋಜಿತ ಕುಟುಂಬದಲ್ಲಿ ಇಪಿಸಿ 2152 ಮೊದಲ ಕೊಡುಗೆಯಾಗಿದೆ. 3-5 ಮೆಗಾಹರ್ಟ್ z ್ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ಆವರ್ತನಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವಿರುವ ಉತ್ಪನ್ನಗಳೊಂದಿಗೆ ಕುಟುಂಬವನ್ನು ತುಂಬಲು ಉದ್ದೇಶಿಸಿದೆ ಎಂದು ಕಂಪನಿಯು ಹೇಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಹಂತಕ್ಕೆ 15-30 ಎ ನಿಂದ ಪ್ರವಾಹಗಳು.

ಇಪಿಸಿ 90120 ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಮಂಡಳಿಯು 80 ವಿ ಗರಿಷ್ಠ ಸಾಧನ ವೋಲ್ಟೇಜ್, 12.5 ಎ ಗರಿಷ್ಠ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರವಾಹ, ಇಪಿಸಿ 2152 ಸಂಯೋಜಿತ ಎಪವರ್ ಹಂತವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಅರ್ಧ ಸೇತುವೆ. ಈ 50.8 × 50.8 ಎಂಎಂ ಬೋರ್ಡ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇಪಿಸಿ 2152 ಸಂಯೋಜಿತ ಎಪವರ್ ಹಂತದ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನಕ್ಕೆ ಅಗತ್ಯವಾದ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ.

ಡಿಜಿ-ಕೀ ಯಿಂದ ತಕ್ಷಣದ ವಿತರಣೆಗೆ ಸಾಧನಗಳು ಲಭ್ಯವಿದೆ

“ಡಿಸ್ಕ್ರೀಟ್ ಪವರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ತಮ್ಮ ಅಂತಿಮ ಅಧ್ಯಾಯವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುತ್ತಿವೆ. ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಗಾನ್-ಆನ್-ಸಿಲಿಕಾನ್ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಸಣ್ಣ ಹೆಜ್ಜೆಗುರುತಿನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ ”ಎಂದು ಇಪಿಸಿಯ ಸಿಇಒ ಮತ್ತು ಸಹ ಸಂಸ್ಥಾಪಕ ಅಲೆಕ್ಸ್ ಲಿಡೋ ಹೇಳಿದರು.

"ಸಮಗ್ರ ವಿದ್ಯುತ್ ಹಂತಗಳ ಈ ಹೊಸ ಕುಟುಂಬವು ಗಾನ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ವಿಕಾಸದ ಮುಂದಿನ ಮಹತ್ವದ ಹಂತವಾಗಿದೆ, ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುವುದರಿಂದ ಹಿಡಿದು ಹೆಚ್ಚು ಸಂಕೀರ್ಣ ಪರಿಹಾರಗಳವರೆಗೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ದ್ರಾವಣಗಳ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳನ್ನು ಮೀರಿ ಇನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳ ವಿನ್ಯಾಸದ ಸುಲಭತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಎಂಜಿನಿಯರ್‌ಗಳು ”